采用SiC/Si3N4陶瓷先驱体连接反应烧结SiC

• 作者: 刘洪丽 张听 李树杰 陈志军
• 来源期刊: 稀有金属材料与工程
• 学科: 工学
• 关键词: 陶瓷连接 SiC/Si3N4陶瓷先驱体 聚硅氮烷 反应烧结碳化硅(RBSiC)
• 年，卷（期）: 2005,（9）
• 所属期刊栏目: 材料工艺
• 页码范围: 1469-1472
• 页数: 4页
• 分类号: TG146.4
• 字数: 3447字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-185X.2005.09.031

摘要

采用SiC/Si3N4陶瓷先驱体聚硅氮烷连接反应烧结碳化硅陶瓷,研究了连接温度、连接压力、浸渍/裂解增强处理对连接强度的影响.结果表明:在1100℃～1400℃温度范围内,连接强度先升高后降低;连接过程中施加适当的轴向压力可提高连接层致密度;浸渍/裂解增强处理可大幅度提高接头强度.当连接温度为1300℃,连接压力为15 kPa,经3次增强处理的连接件抗弯强度达最大值169.1 Mpa.这种连接件的断口表面粘有大量SiC母材.由XRD研究表明,随着温度的逐步升高,聚硅氮烷的裂解产物发生了由非晶态向晶态的转变.微观结构及成分分析显示:连接层为厚度 2 μm～3 μm的SiCN无定形陶瓷,其结构较为均匀致密;连接层与基体间界面接合良好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李树杰		41	423	12.0	18.0
2	刘洪丽		4	62	4.0	4.0
3	张听		4	35	3.0	4.0