采用新型聚硅氮烷连接无压烧结SiC陶瓷

• 作者: 刘洪丽 李洪波 田春英 钟文武
• 来源期刊: 热处理技术与装备
• 关键词: 陶瓷连接 聚硅氮烷 纳米SiC填料 无压烧结碳化硅陶瓷
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 试验研究
• 页码范围: 25-28
• 页数: 4页
• 分类号: TG497
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-4971.2008.01.006

摘要

采用新型陶瓷先驱体聚合物-含乙烯基聚硅氮烷(PSZ)连接无压烧结SiC陶瓷.研究了PSZ的裂解过程以及连接温度、浸渍/裂解增强处理、惰性填料对连接强度的影响,并对连接区域微观结构进行了分析.结果表明,在1200～1400℃温度范围内,PSZ的裂解产物发生了由非晶态向晶态的转变.随着连接温度的升高,连接强度先升高后降低;浸渍/裂解增强处理可较大幅度提高接头强度;另外加入适量的纳米SiC填料可有效提高连接强度.当连接温度为1300℃,纳米SiC填料(质量分数)为5%时,经三次增强处理的连接件接头剪切强度达33.5 MPa.微观结构分析显示,连接层厚度约为3～4 μm,连接层与母材之间界面接合良好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李洪波	佳木斯大学材料科学与工程学院	26	128	7.0	10.0
2	刘洪丽	佳木斯大学材料科学与工程学院	13	66	4.0	7.0
3	田春英	佳木斯大学材料科学与工程学院	16	67	5.0	7.0
4	钟文武	佳木斯大学材料科学与工程学院	5	31	3.0	5.0