SiC纳米线的制备研究现状与展望

• 作者: 刘技文 李娟 李延辉 李昌龄 赵燕平
• 来源期刊: 材料导报
• 关键词: SiC 纳米线 生长机制 制备 控制生长
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 所属期刊栏目: 低维纳米材料
• 页码范围: 99-101
• 页数: 3页
• 字数: 5144字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-023X.2005.z1.032

摘要

综述了近年来围绕SiC纳米线制备所做的一些工作.介绍了基于VLS、SLS、氧辅助生长机制和利用模板等制备SiC纳米线的一些方法,并就纳米线的性能和应用研究给出了今后SiC纳米线可控制生长应开展的研究工作,对SiC纳米线的制备研究工作进行了展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵燕平	天津理工大学材料科学与工程学院	17	77	5.0	8.0
2	刘技文	天津理工大学材料科学与工程学院	25	91	5.0	8.0
3	李娟	天津理工大学材料物理研究所	12	92	5.0	9.0
4	李昌龄	天津理工大学材料物理研究所	4	36	3.0	4.0
5	李延辉	天津理工大学材料物理研究所	4	36	3.0	4.0