Ga在SiO2-Si复合结构中的热分布研究

• 作者: 修显武 孙海波 张晓华 江玉清 裴素华
• 来源期刊: 稀有金属材料与工程
• 学科: 工学
• 关键词: Ga SiO2-Si结构 浓度分布
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 材料工艺
• 页码范围: 275-278
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.4
• 字数: 2639字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-185X.2005.02.025

摘要

用H2和Ga2O3的高温反应形成元素Ga的恒定表面源,通过SiO2-Si复合结构实现了Ga在Si中的高均匀性掺杂;利用二次离子质谱分析(SIMS)、扩展电阻(SRP)、四探针测试等方法,对P型杂质Ga在SiO2薄膜、SiO2-Si两固相接触的内界面、近Si表面的热分布进行分析;揭示出开管方式扩散Ga的实质是由SiO2薄膜对Ga原子的快速输运及其在SiO2-Si内界面分凝效应两者统一的必然结果;并对该过程Ga杂质浓度分布机理进行了分析和讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙海波		19	104	6.0	9.0
2	裴素华		27	70	6.0	7.0
3	修显武		15	21	2.0	4.0
4	张晓华		6	3	1.0	1.0
5	江玉清		4	15	1.0	3.0