低温功率器件驱动电路实验研究

• 作者: 丘明 杨广辉
• 来源期刊: 低温物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 低温电力电子 功率器件 驱动电路
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 页码范围: 191-196
• 页数: 6页
• 分类号: O51
• 字数: 3341字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3258.2006.02.022

摘要

低温电力电子技术的发展日益得到重视,主要是由于功率器件(如功率MOSFET和IGBT等)在低温下表现出更好的性能,如更低的通态阻抗,更高的开关频率等.为了实验测试和充分利用功率器件在低温下的这些性能,急需寻找或设计可以在低温下稳定可靠工作的功率器件驱动电路.我们在对目前商业化的驱动芯片进行分析的基础上,从中挑选了三种在低温下进行实验,对其输出波形随温度的变化进行研究,首次发现了可以在-196℃(77K)稳定工作的驱动芯片,其驱动性能基本能够满足低温下驱动功率器件的要求,为功率器件低温特性测试及低温功率变换电路的设计奠定了坚实的基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丘明		20	74	5.0	8.0
2	杨广辉	中国科学院电工研究所	5	11	2.0	3.0