边缘注入对H型栅SOI pMOSFETs亚阈值泄漏电流的影响

• 作者: 吴峻峰 李多力 毕津顺 海潮和 薛丽君
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 亚阈值泄漏电流 H型栅 pMOSFET
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 页码范围: 996-999,1003
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.055
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2006.04.003

摘要

就不同边缘注入剂量对H型栅SOI pMOSFETs亚阈值泄漏电流的影响进行了研究.实验结果表明不足的边缘注入将会产生边缘背栅寄生晶体管,并且在高的背栅压下会产生明显的泄漏电流.分析表明尽管H型栅结构的器件在源和漏之间没有直接的边缘泄漏通路,但是在有源扩展区部分,由于LOCOS技术引起的硅膜减薄和剂量损失仍就促使了边缘背栅阈值电压的降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	海潮和	中国科学院微电子所	72	277	9.0	13.0
2	吴峻峰	中国科学院微电子所	14	43	4.0	5.0
3	李多力	中国科学院微电子所	16	52	4.0	6.0
4	毕津顺	中国科学院微电子所	37	78	5.0	6.0
5	薛丽君	中国科学院微电子所	8	141	3.0	8.0