高密度高导电性ITO靶研制

• 作者: 丁照崇 崔敏 张维佳 王天民 金飞 阎兰琴
• 来源期刊: 稀有金属材料与工程
• 学科: 工学
• 关键词: ITO 溅射靶 烧结剂 掺杂
• 年，卷（期）: 2006,（7）
• 所属期刊栏目: 材料科学
• 页码范围: 1021-1024
• 页数: 4页
• 分类号: TF124|TF123
• 字数: 2889字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-185X.2006.07.003

摘要

采用化学共沉淀法掺金属Nb,Ta和P到ITO材料中可使ITO(Indium Tin Oxide)靶相对密度达到97%～99%,并且靶电阻率小于3.0×10-4Ω·cm,其质量损失率小于4.0%.采用直接掺杂法将TiO2纳米粉末掺入到纳米ITO粉末中可使ITO靶相对密度达到95%以上.当烧结温度为1500℃时,掺Nb,Ta,P的ITO靶电阻率稍小于纯ITO靶的电阻率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王天民		140	1545	22.0	32.0
2	崔敏		10	72	4.0	8.0
3	张维佳		18	162	8.0	12.0
4	金飞		1	12	1.0	1.0
5	丁照崇		2	12	1.0	2.0
6	阎兰琴		1	12	1.0	1.0