烧结工艺对ITO靶材致密度与电阻率的影响

• 作者: 于杰 张明杰 彭平 陈敬超
• 来源期刊: 粉末冶金材料科学与工程
• 关键词: 烧结温度 升温速率 烧结时间 气氛压力 电阻率
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: 工艺技术
• 页码范围: 623-630
• 页数: 8页
• 分类号: TB34|TB332
• 语种: 中文

摘要

以等离子电弧法制备的铟-锡氧化物(indium-tin oxide,ITO)纳米粉末为原料,采用冷等静压-烧结工艺制备ITO靶材,用排水法和涡流导电仪分别对ITO靶材的致密度和电阻率进行测量,研究烧结温度、升温速率、烧结时间以及气氛压力对靶材致密度和电阻率的影响.结果表明,在烧结温度为1 550℃、升温速率为500℃/h、烧结时间8h、氧气气氛压力为0.02 MPa条件下制备的ITO靶材致密度和电阻率分别为99.54％和1.829×10-4Ω·cm,能够满足高端光伏、液晶显示屏(LCD)等领域对ITO靶材致密度和电阻率的要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈敬超	昆明理工大学稀贵及有色金属先进材料教育部重点实验室	178	1833	21.0	34.0
3	于杰	昆明理工大学稀贵及有色金属先进材料教育部重点实验室	68	352	12.0	16.0
7	张明杰	昆明理工大学稀贵及有色金属先进材料教育部重点实验室	3	1	1.0	1.0
11	彭平	昆明理工大学稀贵及有色金属先进材料教育部重点实验室	7	13	1.0	3.0