高相对密度低电阻率ZTO陶瓷靶材的烧结与性能

• 作者: 职利
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO 透明导电膜 靶材 Ti掺杂 性能
• 年，卷（期）: 2010,（9）
• 页码范围: 37-40
• 分类号: TB303
• 字数: 3599字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2010.09.011

摘要

采用传统的固相烧结方法制备了ZnO:Ti(ZTO)陶瓷靶材,研究了TiO2掺杂量及烧结温度对靶材的微观结构、相对密度和电性能的影响.结果表明:添加适量的TiO2能促进ZTO陶瓷晶粒长大及组织均匀化,掺杂过量TiO2使ZTO陶瓷中析出ZnTi2O4;随TiO2掺杂量的增大,陶瓷靶材的电阻率ρ先快速下降后缓慢升高,当掺杂的x(TiO2)为0.5%,烧结温度为1 350℃时,其ρ1.480 Ω·cm,相对密度为97.7%;当烧结温度为1 400℃时,陶瓷靶材的ρ最低(0.305Ω·cm),其相对密度为97.9%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	职利	桂林电子科技大学材料科学与工程学院	10	61	4.0	7.0