热处理对环境半导体材料β-FeSi2形成的影响

• 作者: Kiyoshi Miyake Koji Yamada 张晋敏 朱林山 罗娇莲 罗胜耘 肖清泉 谢泉 金石声 闫万珺 陈坤
• 来源期刊: 贵州大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 环境半导体材料 β-FeSi2 IBD 退火温度
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 81-85
• 页数: 5页
• 分类号: O472
• 字数: 2539字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5269.2006.01.018

摘要

作者对采用非质量分离离子束注入沉积法(IBD)在Si(100)上制备的β-FeSi2薄膜进行了研究,通过X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)以及原子力显微镜(AFM)分析表明:当退火温度在600℃和700℃附近时有利于β-FeSi2的形成.