C掺杂对离子注入合成β-FeSi2薄膜的影响

• 作者: 张泽 徐雷 李晓娜 聂冬 董闯
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: β-FeSi2 半导体薄膜 金属硅化物 离子注入 透射电子显微镜
• 年，卷（期）: 2001,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1507-1515
• 页数: 9页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 6060字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.12.006

摘要

采用离子注入方法制备β-FeSi2薄膜,选择C作为掺杂元素,得到了β-FeSi2硅化物层与基体间的界面平直、厚度均一的高质量薄膜.经透射电镜分析可知,引入C离子后硅化物层的微结构向有利于薄膜质量的方向发展,晶粒得到细化,β-FeSi2层稳定性提高.从微结构角度考虑,引入C离子对于提高β-FeSi2薄膜的质量是很有益处的.进一步进行光学吸收表征,发现C离子的引入对β-FeSi2层的Egd值没有产生不良影响.讨论了Egd值的影响因素,如制备方法、工艺参数、基体取向、掺杂离子种类、掺杂离子数量、退火温度等等,解释了文献报道的不同Egd值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张泽	中国科学院北京电子显微镜实验室	47	373	10.0	18.0
2	徐雷	三束国家重点联合实验室复旦大学分部	1	8	1.0	1.0