退火温度和β-FeSi2薄膜厚度对n-β-FeSi2/p-Si异质结太阳电池的影响

• 作者: 侯国付 刘芳 孙建 耿新华 赵颖 郁操
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: β-FeSi2薄膜 直流磁控溅射 退火温度 异质结太阳电池
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 页码范围: 662-665,676
• 页数: 5页
• 分类号: TM914
• 字数: 2834字
• 语种: 中文

摘要

本文采用室温直流磁控溅射Fe-Si组合靶的方法,并通过后续退火温度的优化得到了单一相高质量的β-FeSi2薄膜.结果表明,在本实验条件下得到的未掺杂的β-FeSi2薄膜在室温下是n型导电的,其电学特性存在一个退火温度的最优点:800 ℃.而且在这个最佳温度点上,在Si(111)衬底上外延得到的薄膜载流子迁移率比在Si(100)上高出了一倍多.在上述研究的基础上,采用p-Si(111)单晶片作为外延生长β-FeSi2薄膜的衬底,并通过退火温度和薄膜厚度的优化制备出了国内第一个n-β-FeSi2/p-Si异质结太阳电池,其Jsc=7.90 mA/cm2 ,Voc=0.21 V,FF=0.23,η=0.38%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	耿新华	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所	62	364	13.0	17.0
2	孙建	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所	67	311	10.0	14.0
3	赵颖	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所	105	1195	16.0	33.0
4	郁操	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所	2	27	2.0	2.0
5	侯国付	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所	23	203	9.0	13.0
6	刘芳	河北工业大学信息工程学院	29	233	6.0	15.0