掺杂TiO2的ZnO压敏电阻正电子寿命谱研究

• 作者: 孙丹峰 徐政 林枞 樊东辉 王亮
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO压敏电阻 正电子寿命谱 简单捕获态模型
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 904-907
• 页数: 4页
• 分类号: TM28
• 字数: 3143字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-2812.2006.06.028

摘要

利用正电子湮灭技术(PAS)和扫描电子显微镜(SEM),分析了掺杂TiO2的ZnO压敏电阻的晶界缺陷,以及不同降温速率对晶界特性的影响.实验结果表明,向样品中掺杂TiO2或者快速冷却样品,都能使得样品晶界处Zn空位团尺寸变大,浓度减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王亮	同济大学材料科学与工程学院	39	382	11.0	18.0
2	徐政	同济大学材料科学与工程学院	160	2312	24.0	39.0
3	樊东辉	同济大学材料科学与工程学院	15	144	8.0	11.0
4	孙丹峰		16	169	7.0	12.0
5	林枞	同济大学材料科学与工程学院	13	228	8.0	13.0