近红外锗硅光电探测器的研究进展

• 作者: 张宇 李俊一 李欢 牛萍娟
• 来源期刊: 光电技术应用
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe 应变层 近红外 光电探测器
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 光电器件与材料
• 页码范围: 18-21,37
• 页数: 5页
• 分类号: TN215|TN304.1+.1
• 字数: 3992字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-1255.2006.04.006

摘要

介绍了单片集成硅基光接收器相对于混合集成光接收器在光纤通信领域的应用优势,介绍了与硅微电子工艺兼容的、工作在波长λ=0.80～1.60μm近红外波段的锗硅光电探测器在单片集成硅基光接收器中的应用价值.描述了SiGe应变层特性.详细评述了近红外锗硅光电探测器的最新研究进展实例并对其未来作出展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	牛萍娟	天津工业大学信息与通信工程学院	123	617	13.0	17.0
2	张宇	天津工业大学信息与通信工程学院	17	107	5.0	10.0
3	李俊一	天津工业大学信息与通信工程学院	4	18	3.0	4.0
4	李欢	天津工业大学信息与通信工程学院	5	27	3.0	5.0