Al-C-Ni组分的变化对Al-C-Ni与ITO层接触电阻的影响

• 作者: 崔大林 李禹奉 李貞烈 柳在一 金原奭 金聖雄
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 物理学
• 关键词: ITO Al-C-N 接触电阻 组分
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 页码范围: 424-427
• 页数: 4页
• 分类号: O484.4
• 字数: 594字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2006.05.004

摘要

为克服大尺寸显示面板中反应时间的延迟问题,采用低阻栅线是十分有益的,同样在小尺寸面板上也存在这种相互匹配的过程.然而,由于Al较高的氧化速度,铝合金和ITO材料接触性能并不太好.文章介绍了在室温ITO沉积过程中,通过增加ACX (Al-C-Ni)中Ni含量来减少ACX-ITO接触电阻.经室温ITO沉积后,接触电阻成功地减少到300 Ω,而且没有ACX引起的问题出现.