ZnO中Li相关缺陷结构性质

• 作者: 康俊勇 徐群和
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO 本征缺陷 Li掺杂 第一性原理计算
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 509-513
• 页数: 5页
• 分类号: O474|O775
• 字数: 1630字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2006.04.015

摘要

采用第一性原理量子力学分子动力学方法,基于32个原子的超原胞模型,计算了ZnO中各种Li相关缺陷的有关几何和电子结构.通过不同模型的计算分析表明,ZnO中Li杂质在间隙位上的总能比替位Zn格位的能量更低,但却形成施主能级.进一步通过构造Li替Zn位LiZn与不同本征缺陷所构成的复合体结构,并对模拟计算的结果进行分析比较得出,O反位OZn可与LiZn形成比Li间隙位更稳定的复合体,可高溶解度地稳定存在于ZnO中,并在禁带中产生受主能级,是较好的p型导电性候选缺陷.