改进的挥硅-ICP-MS法测定高纯四氯化硅中金属杂质

• 作者: 何锦林 宋光林 曾广铭 谢锋 谭红 郭峰
• 来源期刊: 福建分析测试
• 学科: 化学
• 关键词: 高纯四氯化硅 ICP-MS 金属杂质
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 7-9
• 页数: 3页
• 分类号: O657.3
• 字数: 1802字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-8143.2006.04.003

摘要

本文对钛厂回收副产物高纯四氯化硅中的9种金属杂质进行了测定.采用密封针管取样,转移塑料挥气瓶中,恒温水浴锅控制温度(57℃)通入干燥惰性气体(N2),在塑料挥气瓶挥去基体四氯化硅,富集的金属加入硝酸转变成溶液后定容,用电感耦合等离子质谱法(ICP-MS)直接测定其中Pb、Zn、Mn等9种微量金属杂质.用Rh做内标元素补偿基体效应和灵敏度漂移.样品的加标回收率为98.15～102.0%,相对标准偏差(RSD)为0.9%～3.5%,检出限为0.009～0.05μg/L.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谭红		70	810	15.0	26.0
2	何锦林		45	617	12.0	23.0
3	郭峰		35	335	9.0	18.0
5	谢锋		28	206	8.0	13.0
6	宋光林		15	52	5.0	6.0
10	曾广铭		5	57	3.0	5.0