纳米晶铜块体材料电化学腐蚀行为研究

• 作者: 严密 吴希俊 罗伟 钱聪
• 来源期刊: 浙江大学学报（工学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米晶铜 腐蚀行为 晶粒尺寸 缺陷
• 年，卷（期）: 2006,（9）
• 所属期刊栏目: 材料与化学工程
• 页码范围: 1587-1590
• 页数: 4页
• 分类号: TG1
• 字数: 3068字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3785/j.issn.1008-973X.2006.09.025

摘要

针对纳米晶(NC)单质金属材料的腐蚀特性,研究了块体纳米晶铜的耐蚀性能.利用电化学方法,结合XRD、EDS和SEM表面分析技术,比较分析了惰性气体沉积原位温压法(IGCWC)制备的块体纳米晶铜和多晶铜在0.1 mol/L CuSO4和0.05 mol/L H2SO4混合溶液中的腐蚀行为.结果表明,纳米晶铜的腐蚀呈均匀的表面溶解并伴随有不均匀的局部腐蚀,而多晶铜呈沿晶界均匀分布的晶界点蚀.纳米晶铜表面原子和晶界原子具有更高的表面活性,钝化能力大大提高,同时钝化膜的溶解速度加大.纳米试样制备过程中产生的微孔隙缺陷降低了纳米晶铜的耐蚀性.与多晶铜相比,纳米晶铜耐蚀性降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗伟	浙江大学硅材料国家重点实验室	36	277	11.0	15.0
2	严密	浙江大学硅材料国家重点实验室	91	637	12.0	20.0
3	吴希俊	浙江大学硅材料国家重点实验室	29	270	10.0	16.0
4	钱聪	浙江大学硅材料国家重点实验室	8	57	3.0	7.0