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摘要:
采用同步辐射白光形貌术观察了6H和4H-SiC单晶片中的微小多型结构.基于透射同步辐射形貌术的衍射几何和晶片的取向,计算了SiC晶体中3种主要多型在Lane像中对应不同反射的成像位置,并与实际结果进行了比较.鉴别出6H和4H-SiC单晶中分别存在着少量的4H-SiC和15R-SiC多型的寄生生长.
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文献信息
篇名 同步辐射白光形貌术观察SiC单晶中的微小多型结构
来源期刊 功能材料 学科 物理学
关键词 多型夹杂 同步辐射白光形貌术 SiC单晶
年,卷(期) 2006,(4) 所属期刊栏目 研究与开发
研究方向 页码范围 591-593
页数 3页 分类号 O722
字数 1349字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1001-9731.2006.04.025
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研究主题发展历程
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多型夹杂
同步辐射白光形貌术
SiC单晶
研究起点
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
功能材料
月刊
1001-9731
50-1099/TH
16开
重庆北碚区蔡家工业园嘉德大道8号
78-6
1970
chi
出版文献量(篇)
12427
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