一种BiCMOS欠压保护电路的设计

• 作者: 唐婷婷 王锐
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: 欠压保护 功率集成电路 BiCMOS
• 年，卷（期）: 2006,（10）
• 所属期刊栏目: 实用技术
• 页码范围: 76-78
• 页数: 3页
• 分类号: TN4
• 字数: 1343字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-7820.2006.10.020

摘要

基于0.6μm BiCMOS工艺,设计实现了一种欠压保护电路.该电路结构简单,避免使用电压基准和比较器等辅助模块,工艺实现容易,可用于功率集成电路或单片集成电源.仿真结果表明,该电路能在欠压时输出逻辑信号,且有迟滞功能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王锐	重庆邮电大学光电工程学院	5	81	4.0	5.0
2	唐婷婷	重庆邮电大学光电工程学院	3	36	3.0	3.0