聚硅氧烷连接RBSiC陶瓷

• 作者: 刘洪丽 李树杰 陈志军
• 来源期刊: 稀有金属材料与工程
• 学科: 工学
• 关键词: 特种连接 陶瓷连接 陶瓷先驱体 聚硅氧烷 反应烧结碳化硅(RBSiC)
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 材料工艺
• 页码范围: 134-137
• 页数: 4页
• 分类号: TG174.758
• 字数: 3171字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-185X.2006.01.034

摘要

采用陶瓷先驱体有机聚合物聚硅氧烷连接反应烧结碳化硅(RBSiC)陶瓷.研究了连接温度、连接压力、保温时间对连接强度的影响.通过正交优选实验,确定了最佳工艺参数:连接温度为1300℃,连接压力为25 kPa,保温时间为120 min.在此工艺条件下制备的连接件经3次浸渍/裂解增强处理,其抗弯强度达132.6 MPa,连接件断口表面粘有大量从母材剥离下来的SiC.XRD研究表明,在1100℃～1400℃的试验范围之内,随着连接温度的逐步升高,聚硅氧烷的裂解产物发生了由非晶态向晶态的转变.这种转变对连接强度有显著影响.扫描电镜(SEM)及能谱(EDX)分析显示,连接层厚度为3 μm左右,结构较为均匀致密,且与母材间界面结合良好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李树杰		41	423	12.0	18.0
2	刘洪丽		4	62	4.0	4.0