温度对SiO2光子晶体模板中生长InP的影响

• 作者: 常伟 李述体 范广涵 谭春华 郑品棋 陈宇彬 雷勇 黄琨
• 来源期刊: 量子电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光电子学 有机金属化学气相沉积 光子晶体 人工欧泊 温度
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 光电技术与材料
• 页码范围: 876-880
• 页数: 5页
• 分类号: TN204
• 字数: 2148字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2006.06.025

摘要

制备了人工欧泊SiO2光子晶体模板并运用有机金属化学气相沉积(MOCVD)技术在SiO2光子晶体模板中生长填充了InP晶体.实验研究了不同成核温度(300℃,350℃,400℃)对于生长填充InP的影响.扫描电镜和反射谱分析结果显示,温度对于InP在SiO2光子晶体模板中的生长有重要影响.随着成核温度的升高,InP在SiO2光子晶体模板中的填充率随之降低.