用SF6/O2气体ICP刻蚀硅深槽基片温度对刻蚀速率的影响

• 作者: 任泰安 吕春红
• 来源期刊: 河南机电高等专科学校学报
• 学科: 工学
• 关键词: ICP 基片温度 刻蚀 刻蚀速率
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 机电工程理论与应用
• 页码范围: 1-3
• 页数: 3页
• 分类号: TN405
• 字数: 2456字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-2093.2006.06.001

摘要

以SF6/O2为刻蚀气体用RIE刻蚀机刻蚀Si,当功率为500W,偏压为250V,气体流量45mL/min,压力分别为2.7Pa、6.7 Pa、11Pa时,基片温度的改变对其刻蚀速率的影响.实验结果表明:进行室温刻蚀(≥0℃)和低温刻蚀(≤0℃)时,其刻蚀机理不尽相同,当基片温度为0℃～80℃时,对刻蚀速率起关键作用的是各向同性的化学反应刻蚀.当基片温度为-120℃～0℃时,对刻蚀速率起关键作用的是各向异性的物理刻蚀,可以获得理想的尺寸和形貌.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕春红		24	68	6.0	8.0
2	任泰安	西安交通大学精密工程研究所	16	49	4.0	7.0