基于EIT技术的微区薄层电阻无接触测试技术研究

• 作者: 刘新福 谢辉 高强
• 来源期刊: 河北工业大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电阻抗断层成像技术 正问题 逆问题 四探针技术 薄层电阻
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 页码范围: 72-76
• 页数: 5页
• 分类号: TN307
• 字数: 2345字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2373.2006.05.015

摘要

论述了用无接触方法测试大型硅片电阻率均匀性的新方案.回顾了EIT技术的发展与成果,对其基本原理和重建算法在理论上进行了描述,提出可将其应用于微区薄层电阻测试,并就测试细节做了进一步探索,最后就其应用前景作了展望.这一技术与传统的四探针技术相比,不仅在理论上将有相同的分辨率,并且具有快速,不损坏硅片的特点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘新福	河北工业大学机械学院	39	354	9.0	17.0
2	谢辉	河北工业大学信息工程学院	2	3	1.0	1.0
3	高强	河北工业大学机械学院	1	3	1.0	1.0