基于多阈值技术的CMOS低功耗可预置边沿触发器设计

• 作者: 张华军 张慧熙 沈继忠
• 来源期刊: 浙江大学学报（理学版）
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS 多阈值 低功耗 漏电流 D触发器
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 电子科学
• 页码范围: 646-649
• 页数: 4页
• 分类号: TP331.2
• 字数: 1532字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1008-9497.2006.06.011

摘要

超大规模集成电路设计工艺已进入深亚微米阶段,漏电流功耗已经成为不可忽视的部分.多阈值CMOS技术是一种降低电路漏电流功耗的有效方法.它通过接入高闽值MOS管来抑制低阈值模块的漏电流.本文利用多阈值技术实现电路的冗余抑制,设计了基于多阈值技术的CMOS可预置主从型单边沿、双边沿D触发器.模拟结果表明,设计的触发器能有效降低电路漏电流功耗,跟已有文献提出的可预置主从型触发器相比,可节省近15%的功耗.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈继忠	浙江大学信息与电子工程学系	62	300	10.0	14.0
2	张慧熙	浙江大学信息与电子工程学系	4	11	3.0	3.0
3	张华军	浙江大学信息与电子工程学系	1	3	1.0	1.0