Mg+注入对GaN晶体辐射损伤的研究

• 作者: 丁志博 侯利娜 姚淑德 姜森林 李蝉 王坤 蒙康
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN 卢瑟福被散射/沟道 高分辨X射线衍射 辐射损伤
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2476-2481
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 3327字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.05.060

摘要

在蓝宝石衬底上通过金属有机物化学气相沉积(metal-organic chemical vapor deposition,MOCVD)方法外延生长的GaN薄膜具有良好的结晶品质,xmin达到2.00%.结合卢瑟福背散射/沟道(Rutherford backscattering/channeling,RBS/C)和高分辨X射线衍射(high-resolution X-ray diffraction,HXRD)的实验测量,研究了不同剂量和不同角度Mg+注入GaN所造成的辐射损伤.实验结果表明,随注入剂量的增大,晶体的辐射损伤也增大,注入剂量在1×1015atom/cm2以下,xmix小于4.78%,1×1016atom/cm2是Mg+注入GaN的剂量阈值,超过这个阈值,结晶品质急剧变差,xmin达到29.5%;随机注入比沟道注入的辐射损伤大,且在一定范围内随注入角度的增大,损伤也增大,在4×1015atom/cm2剂量下偏离〈0001〉沟道0°,4°,6°,9°时的xmin(%)分别为6.28,8.46,10.06,10.85;经过700℃/10min+1050℃/20s两步退火和1000℃/30s高温快速退火后,晶体的辐射损伤都有一定程度的恢复,而且1000℃/30s高温快速退火的效果更好,晶体的辐射损伤可以得到更好的恢复.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丁志博	北京大学物理学院	7	63	4.0	7.0
2	姚淑德	北京大学物理学院	22	100	5.0	9.0
3	王坤	北京大学物理学院	23	206	7.0	14.0
4	侯利娜	北京大学物理学院	3	7	2.0	2.0
5	蒙康	北京大学物理学院	1	1	1.0	1.0
6	姜森林	北京大学物理学院	1	1	1.0	1.0
7	李蝉	北京大学物理学院	1	1	1.0	1.0