Pd/SnO2/SiO2/Si集成薄膜的结构与气敏性能

• 作者: 杜军 杨志民 毛昌辉 熊玉华 王磊
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: SnO2 Pd 薄膜 溅射 气体敏感
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 生物化学微纳器件与技术
• 页码范围: 2084-2087,2091
• 页数: 5页
• 分类号: TG1
• 字数: 3449字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2006.05.204

摘要

采用磁控溅射技术制备Pd/SnO2/SiO2/Si集成薄膜.研究退火处理对薄膜微观结构和表面形貌的影响,进而测试了相关的气敏性能.实验证明,经过氧化性退火处理,集成薄膜中的SiO2层厚度从3 nm增长到50 nm左右,形成Pd/SnO2/SiO2/Si结构,SnO2薄膜形成金红石结构的多孔柱状晶.气敏测试表明,Pd/SnO2/SiO2/Si集成薄膜在低温区对H2、CH4、CO和C2 H5OH敏感性较高,另外,随着H2气体浓度的增加,相应灵敏度从35递增至73.5.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜军		75	496	13.0	17.0
2	王磊		38	221	9.0	12.0
3	毛昌辉		60	564	12.0	21.0
4	杨志民		40	363	9.0	17.0
5	熊玉华		20	94	7.0	8.0