N80C196KC20芯片的X射线剂量增强效应

• 作者: 徐曦 杨怀民 王旭利 袁国火 詹峻岭 赵聚朝 邓建红
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: 辐射效应 电离总剂量 计算机芯片 X射线剂量增强
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 低能加速器技术、射线技术及应用
• 页码范围: 198-201
• 页数: 4页
• 分类号: O571.42|O571.32|TL81
• 字数: 4806字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2006.03.009

摘要

介绍大规模集成电路N80C196KC20单片机芯片在X射线辐射环境下性能的退化及剂量增强效应.用Intel公司的N80C196KC20单片机芯片进行X射线、钴源总剂量辐照试验,测量了电源工作电流ICC,芯片的功能失效表征了它的总剂量响应.芯片在较低的总剂量水平发生功能失效,γ失效总剂量～165 Gy(Si).芯片失效时工作电流发生快速增长.实验测量了N80C196KC20单片机芯片的X射线剂量增强系数,研究了剂量增强效应机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	詹峻岭	中国工程物理研究院电子工程研究所	7	36	3.0	6.0
2	徐曦	中国工程物理研究院电子工程研究所	19	91	6.0	8.0
3	杨怀民	中国工程物理研究院电子工程研究所	5	35	4.0	5.0
4	袁国火	中国工程物理研究院电子工程研究所	4	32	3.0	4.0
5	邓建红	中国工程物理研究院电子工程研究所	8	26	3.0	4.0
6	赵聚朝	中国工程物理研究院电子工程研究所	1	7	1.0	1.0
7	王旭利	中国工程物理研究院电子工程研究所	3	10	2.0	3.0