Cd在Cd0.9Zn0.1Te晶体中的有效扩散系数与扩散激活能

• 作者: 刘洪涛 张斌 曹泽淳 李万万 桑文斌 詹峰 闵嘉华
• 来源期刊: 稀有金属材料与工程
• 学科: 工学
• 关键词: Cd0.9Zn0.1Te(CZT) 有效扩散系数DCd 扩散激活能QCd 数值拟合
• 年，卷（期）: 2006,（10）
• 所属期刊栏目: 材料科学
• 页码范围: 1577-1580
• 页数: 4页
• 分类号: TB34
• 字数: 1983字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-185X.2006.10.016

摘要

为了计算Cd在Cd0.9Zn0.1Te(CZT)晶体中的有效扩散系数DCd与扩散激活能QCd,利用Cd在CZT晶体中的扩散特性,设计了在不同Cd压下对CZT的退火实验,推导出了晶体电阻率与Cd有效扩散系数之间的函数关系,经过计算,首次获得了在1073 K,973 K和873 K温度时Cd原子在CZT晶体中的有效扩散系数DCd,分别为1.464×10-10cm2/s,1.085×10-11cm2/s和4.167×10-13cm2/s.将扩散数据经过拟合后得到了Cd原子在CZT晶片中有效扩散系数的表达式:2.33×exp(-2.38 eV/kT)(873 K～1073 K),其中扩散激活能QCd为2.38 eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	桑文斌	上海大学电子信息材料系	53	535	15.0	20.0
2	曹泽淳	上海大学电子信息材料系	6	64	3.0	6.0
3	闵嘉华	上海大学电子信息材料系	54	281	10.0	15.0
4	李万万	上海大学电子信息材料系	12	98	6.0	9.0
5	刘洪涛	上海大学电子信息材料系	5	23	3.0	4.0
6	张斌	上海大学电子信息材料系	72	233	8.0	13.0
7	詹峰	上海大学电子信息材料系	2	3	1.0	1.0