HYS72T512022HF-3．7-A：4GB DDR2 FB—DIMM

• 来源期刊: 电子元器件应用
• 学科: 工学
• 关键词: DDR2 DIMM Infineon公司 4GB 存储器模块 RAM芯片 逻辑芯片 缓冲器 所有权 AMB
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 页码范围: 135
• 页数: 1页
• 分类号: TP333.8

摘要

Infineon公司推出首个DDR2全缓冲双列直插存储器模块（FB—DIMM），其容量从512MB-4GB。新的FB—DIMM是基于先进存储器缓冲器（AMB）芯片，DDR2 DRAM芯片和有所有权的热沉都是Infineon的产品。此外，Infineon还给其它的FB—DIMM制造商提供AMB逻辑芯片。