纳秒脉冲下高能量快电子逃逸过程的计算

• 作者: 严萍 孙广生 张适昌 谷琛 邵涛
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 气体放电 快电子 逃逸击穿 纳秒脉冲
• 年，卷（期）: 2006,（11）
• 所属期刊栏目: 流体、等离子体和放电
• 页码范围: 5964-5968
• 页数: 5页
• 分类号: O53
• 字数: 3472字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.11.064

摘要

基于快电子的逃逸击穿机理将是一种能解释纳秒脉冲高过电压倍数下气体放电现象的理论,对高能量快电子的逃逸运动、碰撞电离引导电子崩的发展等进行了分析,并根据电子能量与阻力关系式,对电子的俘获或逃逸过程进行了计算.结果表明外加场强越高,更多的电子能逃逸,逃逸的能量阈值越低,气压对电子的逃逸过程影响也较大.同时也定性描述了纳秒脉冲下逃逸击穿放电过程.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	严萍	中国科学院电工研究所	191	2402	27.0	36.0
2	孙广生	中国科学院电工研究所	50	692	16.0	24.0
3	邵涛	中国科学院电工研究所	68	811	17.0	26.0
7	张适昌	中国科学院电工研究所	33	665	15.0	25.0
8	谷琛	中国科学院电工研究所	4	58	4.0	4.0