一种高性能硅片曝光场分布优化算法

• 作者: 何乐 王向朝
• 来源期刊: 光学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 激光技术 光刻技术 曝光场分布 寻优算法 产率 良率
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 激光器与激光光学
• 页码范围: 403-408
• 页数: 6页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 3412字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-2239.2006.03.016

摘要

以提高光刻机应用性能为目的,提出了一种高性能硅片曝光场分布优化算法.由芯片尺寸计算得到最佳曝光场尺寸,使其最接近于光刻机提供的曝光场最大尺寸,提高了曝光系统的利用率;引入曝光场交错分布,减少了硅片边缘曝光场的交叠,提高了光刻产率;建立产率优先和良率优先两种优化方案,实现了产率和良率的共优.以实际芯片产品的参量为例,将本算法用于曝光过程,采用产率优先标准,曝光场数量减少了10%,而内场数量基本不变,提高了光刻的产率也确保了良率;采用良率优先标准,内场数量增长了10%,总的场数也有所减少,提高了光刻良率的可靠性也确保了产率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王向朝	中国科学院上海光学精密机械研究所信息光学实验室	170	1628	23.0	35.0
2	何乐	中国科学院上海光学精密机械研究所信息光学实验室	4	11	2.0	3.0