背腐蚀在晶体硅太阳电池生产中的应用

• 作者: 刘志刚 叶庆好 孙铁囤 安静 汪建强 苦史伟
• 来源期刊: 中国建设动态：阳光能源
• 学科: 工学
• 关键词: 背腐蚀 SEM 背反射 IQE
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 页码范围: 53-55
• 页数: 3页
• 分类号: TM914.4

摘要

背腐蚀可以用来代替生产中通常使用的等离子刻蚀将扩散后正面和背面的p-n结分开。本文中背腐蚀使用了HF—HNO3体系，没有表面保护。用扫描电镜（SEM）观察了背腐蚀和等离子刻蚀后的表面形貌以及硅／铝界面情况，分析了背反射和内量子效应IQE。用背腐蚀代替等离子刻蚀后晶体硅太阳电池的ISC、VOC和电池效率都得到了提高。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	安静	上海交通大学物理系太阳能研究所	3	15	2.0	3.0
2	孙铁囤	上海交通大学物理系太阳能研究所	11	95	5.0	9.0
3	刘志刚	上海交通大学物理系太阳能研究所	14	102	5.0	10.0
4	汪建强	上海交通大学物理系太阳能研究所	7	54	4.0	7.0
5	苦史伟	上海交通大学物理系太阳能研究所	3	11	1.0	3.0
6	叶庆好	上海交通大学物理系太阳能研究所	6	33	4.0	5.0