硼硅玻璃与硅阳极键合界面形成机理分析

• 作者: 孟庆森 宋永刚 张惠轩 秦会峰 胡利方
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 阳极键合 硼硅玻璃 硅 过渡区
• 年，卷（期）: 2006,（9）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 1369-1371
• 页数: 3页
• 分类号: TG453
• 字数: 2522字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2006.09.005

摘要

对硼硅玻璃与硅进行了阳极键合实验,通过扫描电镜对键合界面的微观结构进行分析表明:玻璃/硅的键合界面有明显的中间过渡层生成;分析认为电场力作用下玻璃耗尽层中的氧负离子向界面迁移扩散并与硅发生氧化反应是形成中间过渡层的主要原因,而界面过渡层的形成是硅/玻璃界面键合实现永久连接的直接原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孟庆森	太原理工大学材料科学与工程学院	92	422	11.0	16.0
2	秦会峰	太原理工大学材料科学与工程学院	6	37	3.0	6.0
3	胡利方	太原理工大学材料科学与工程学院	18	54	4.0	7.0
4	张惠轩	太原理工大学材料科学与工程学院	8	28	3.0	5.0
5	宋永刚	太原理工大学材料科学与工程学院	6	41	3.0	6.0