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摘要:
采用低压化学气相沉积法(LPCVD)在镍片上直接制备碳纳米管(CNTs)薄膜,系统地研究了生长温度(500~800℃)对碳纳米管薄膜形貌、结构及场发射性能的影响,并对此方法的生长机理进行了分析.当温度从500℃升高到650℃时,碳纳米管的生长速率随着温度升高而增大,而温度继续上升,速率则明显减小.利用扫描电镜(SEM)和拉曼光谱仪表征和检测了碳纳米管薄膜的形貌和结构.碳纳米管的管径、长度、一致性和晶化程度随温度都有明显的变化.同时还对碳纳米管薄膜的场发射特性进行了测试,对其场发射机理进行了深入地探讨,表明温度对碳纳米管的性能有很大影响,并存在最优化的温度条件.实验结果表明碳纳米管薄膜的形貌、结构及其场发射性能可通过生长温度进行一定范围的控制.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 LPCVD法制备碳纳米管薄膜及其场发射性能的研究
来源期刊 光学学报 学科 工学
关键词 薄膜光学 碳纳米管 低压化学气相沉积 扫描电镜 拉曼光谱 温度
年,卷(期) 2006,(5) 所属期刊栏目 薄膜
研究方向 页码范围 777-782
页数 6页 分类号 TB34
字数 5272字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-2239.2006.05.027
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 郭平生 华东师范大学纳米功能材料和器件应用研究中心 5 68 5.0 5.0
2 孙卓 华东师范大学纳米功能材料和器件应用研究中心 39 200 8.0 11.0
3 陈婷 华东师范大学纳米功能材料和器件应用研究中心 23 78 5.0 8.0
4 黄素梅 华东师范大学纳米功能材料和器件应用研究中心 5 38 3.0 5.0
5 王莉莉 华东师范大学纳米功能材料和器件应用研究中心 3 27 3.0 3.0
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光学学报
半月刊
0253-2239
31-1252/O4
大16开
上海市嘉定区清河路390号(上海800-211信箱)
4-293
1981
chi
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11761
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35
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