基于BiCMOS的高精度LDO线性稳压电路

• 作者: 邹雪城 陈晓飞
• 来源期刊: 华中科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: LDO稳压电路 BiCMOS高压工艺 温度系数 线性调整率 负载调整率 电源抑制比
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 页码范围: 59-61
• 页数: 3页
• 分类号: TN432
• 字数: 1842字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1671-4512.2006.05.018

摘要

设计了一种基于0.8 μm,双阱BiCMOS高压工艺的高精度LDO线性稳压电路.电路采用四管单元带隙基准作温度补偿,多级误差放大反馈结构稳定输出电压,其中直接将带隙基准电路作为误差放大电路的一部分,从而在不增加电路复杂性的基础上,使整个误差放大电路经过多级放大,增益得到大幅提高.Hspice仿真结果表明:电路在较宽的频率范围内,电源抑制比约为85 dB;在温度由-20～80 ℃变化时,其温度系数约为±35×10-6/℃;电源电压在4.5～28 V之间变化时,最坏情况下其线性调整率为0.031 mV/V;负载电流由0 mA到满载2 mA变化时,其负载调整率仅为0.01 mV/mA.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邹雪城	华中科技大学电子科学与技术系	310	2261	21.0	31.0
2	陈晓飞	华中科技大学电子科学与技术系	28	239	10.0	14.0