铁电存储器的基本单元及其工作模式

• 作者: 于军 李建军 王耘波 王龙海 高俊雄
• 来源期刊: 计算机与数字工程
• 学科: 工学
• 关键词: FRAM FFET 2T/2C 1T/1C
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 基金论文
• 页码范围: 8-12
• 页数: 5页
• 分类号: TP333
• 字数: 3405字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-9722.2006.01.003

摘要

按照铁电储存器的破坏性读出和非破坏性读出的这两种基本工作模式及其所对应的铁电随机存取存储器FRAM和铁电场效应晶体管FFET两种结构形式的分类,分别介绍了1T/1C,2T/2C结构和铁电场效应晶体管金属-铁电-半导体(MFS)结构的基本铁电存储单元的结构及其工作模式.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于军	华中科技大学电子科学与技术系	103	537	11.0	16.0
2	李建军	华中科技大学电子科学与技术系	235	1646	18.0	27.0
3	王耘波	华中科技大学电子科学与技术系	68	398	10.0	16.0
4	高俊雄	华中科技大学电子科学与技术系	44	248	8.0	13.0
5	王龙海	华中科技大学电子科学与技术系	6	49	4.0	6.0