超高速大电流半导体开关实验研究

• 作者: 余岳辉 周郁明 梁琳 陈海刚
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体开关 RSD 等离子体 大电流 电流上升率
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 加速器技术
• 页码范围: 447-450
• 页数: 4页
• 分类号: TN78
• 字数: 2295字
• 语种: 中文

摘要

利用自行研制的固态半导体开关RSD,采用电容储能方式,研究了RSD的电压响应时间、大电流特性、电流上升率等.在测试RSD的电压响应时间时,得到了25 ns的电压下降曲线.在主电容电压为8 kV时,得到峰值为10.1 kA、脉宽为34 μs、电流上升率为2.03 kA/μs的大电流脉冲.通过调整主电路,在主电容为3 kV时,得到的电流脉冲峰值为8.5 kA、脉宽为2.5 μs、电流上升率为7.2 kA/μs.结果表明,RSD是一种开通快、通流能力强、电流上升率高的大功率半导体开关器件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	梁琳	华中科技大学电子科学与技术系	39	240	8.0	14.0
2	余岳辉	华中科技大学电子科学与技术系	60	621	14.0	22.0
3	周郁明	华中科技大学电子科学与技术系	9	90	7.0	9.0
4	陈海刚	华中科技大学电子科学与技术系	4	43	4.0	4.0