厚膜P型宏孔多孔硅阳极氧化电流优化

• 作者: 周毅 廖怀林 张兴 张国艳 杨利 王阳元 黄如
• 来源期刊: 稀有金属材料与工程
• 学科: 工学
• 关键词: 二甲基甲酰胺 多孔硅 电化学腐蚀 阳极电流密度
• 年，卷（期）: 2006,（9）
• 所属期刊栏目: 材料工艺
• 页码范围: 1501-1503
• 页数: 3页
• 分类号: TN405.95
• 字数: 648字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-185X.2006.09.037

摘要

采用电化学腐蚀的方法成功地制备了厚膜p型宏孔多孔硅.氢氟酸和二甲基甲酰胺按体积比1:4组成电化学腐蚀的溶液.通过在不同条件下制备的多组样品,得出了多孔硅生长速度与电流密度以及腐蚀厚度与腐蚀时间的函数关系.通过ESEM对所制样品进行了表面和截面形貌分析,得出30 mA/cm2～50 mA/cm2的阳极电流密度是制备高质量厚膜p型宏孔多孔硅的最佳条件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨利		3	5	2.0	2.0
2	张国艳		48	187	6.0	12.0
3	周毅		33	105	5.0	9.0
4	廖怀林		13	54	3.0	7.0
5	黄如		87	413	9.0	17.0
6	张兴		120	618	12.0	20.0
7	王阳元		78	1128	15.0	32.0