MEMS微器件用CoNiMnP永磁体薄膜的工艺制备和性能研究

• 作者: 丁桂甫 张永华 戴旭涵 汪红 王志民 苏宇锋
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: MEMS器件 CoNiMnP永磁体薄膜 磁性能 掩膜电沉积
• 年，卷（期）: 2006,（11）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 1719-1722
• 页数: 4页
• 分类号: TQ15
• 字数: 3345字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2006.11.009

摘要

研究了采用多种氯化物体系电沉积制备CoNiMnP永磁体薄膜及在微继电器、电磁驱动器永磁体阵列器件方面的应用.对薄膜组成、磁性能的对比研究表明:从稀氯化物体系(200mT)中获得的Co82.4Ni11.9Mn0.4P5.3永磁体薄膜具有最好的磁性能:Hc=208790A/m,Br=0.2T,(BH)max=10.15kJ/m3,且脆性小、内应力较低.进一步解析发现这可能是因为与易磁化轴相平行的Co(110)面上存在织构所致.在此基础上采用掩膜电沉积技术成功地制备出微继电器原位制造和电磁驱动器永磁体薄膜阵列.