氮化硅-氧化镁-氧化钇陶瓷的常压烧结

• 作者: 杨海涛 毛豫兰 赵雷康
• 来源期刊: 武汉理工大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化硅 烧结 陶瓷
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 材料科学与工程
• 页码范围: 17-19
• 页数: 3页
• 分类号: TB3
• 字数: 1725字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1671-4431.2006.06.006

摘要

采用常压烧结工艺制备了Si3N4-MgO-Y2O3陶瓷材料,克服了热压工艺的缺陷.Y2O3的添加量对烧结陶瓷材料的致密化行为和机械性能有很大的影响.常压烧结Si3N4-MgO-Y2O3陶瓷材料,当氧化钇含量(质量分数)为4%～5%时,相对密度达99%,抗弯强度达950 MPa,断裂韧性7.5 MPa·m1/2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵雷康	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	15	68	5.0	8.0
2	毛豫兰	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	9	59	5.0	7.0
3	杨海涛	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	35	361	11.0	18.0