电子封装用高硅铝合金热膨胀性能的研究

• 作者: 刘泓 张伟 杨伏良 甘卫平
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 化学
• 关键词: 电子封装 高硅铝合金 热膨胀系数 理论模型
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 电、磁功能材料
• 页码范围: 348-350
• 页数: 3页
• 分类号: O6|TM2
• 字数: 3530字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-023X.2006.z1.111

摘要

采用雾化喷粉与真空包套热挤压工艺制备了高硅铝合金电子封装材料,测定了合金在100～400℃间的热膨胀系数值,并运用理论模型对该温度区间的热膨胀系数进行了计算,分析了高硅铝合金材料热膨胀性能的影响因素.结果表明:Si相作为增强体能显著改善Al-Si合金的微观组织与热膨胀性能,430℃热挤压下的高硅铝合金材料在100～400℃之间的热膨胀系数平均值与Turner模型很接近.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张伟	中南大学材料科学与工程学院	190	1554	21.0	30.0
2	甘卫平	中南大学材料科学与工程学院	94	1388	18.0	32.0
3	杨伏良	中南大学材料科学与工程学院	41	686	15.0	25.0
4	刘泓	中南大学材料科学与工程学院	19	219	9.0	14.0