CMOS微环境pH传感芯片研究

• 作者: 施朝霞 朱大中
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 离子敏场效应晶体管 CMOS工艺 多层浮栅 集成参考电极
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 页码范围: 577-580
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 2001字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2006.03.010

摘要

基于离子敏感场效应晶体管(ISFET)基本结构及其电学特性,提出了一种应用标准CMOS工艺实现的多层浮栅结构pH-ISFET.利用CMOS标准工艺中LPCVD淀积的Si3N4钝化层作为氢离子敏感层,pad工艺形成微区域独立传感窗口.片上集成100 μm×100 μm电极提供参考电位,消除了外加参考电位引起的溶液电压分布不均的现象.缓冲液从pH值1-13范围内对ISFET进行了测量,器件阈值电压随溶液pH值变化的平均灵敏度为44 mV/pH,线性度在10%范围内.本结构可用于生物微环境pH值集成传感芯片设计中.