CMP专用硅溶胶研磨料粒径可控增长技术的研究

• 作者: 刘玉岭 张建新 张楷亮 檀柏梅
• 来源期刊: 纳米科技
• 学科: 工学
• 关键词: 超大规模集成电路 化学机械抛光 硅溶胶 粒径 可控增长
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 纳米加工工艺
• 页码范围: 40-44
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.2|TQ127.2
• 语种: 中文

摘要

以LaMer模型为理论依据,对恒液面聚合生长法制备硅溶胶的母液制备和粒径增长阶段进行了工艺研究.通过适当加料速率下的母液制备可产生适当数量的晶核,并制得一系列小粒径规格的低分散度硅溶胶.在粒径增长阶段,通过选择与底料中粒径状况相匹配的加料速率,使胶粒均匀长大而制得一系列中等粒径和大粒径规格的硅溶胶.该技术实现了硅溶胶粒径的可控增长.