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摘要:
韩国三星电子日前宣布开发出一种容量为2GB的晶圆级“立体封装”内存芯片,这是业界首枚使用硅穿透工艺实现晶圆级堆叠封装的内存产品,实现了芯片电路的直接互联。
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文献信息
篇名 新型芯片
来源期刊 光学精密机械 学科 工学
关键词 内存芯片 堆叠封装 三星电子 内存产品 芯片电路 晶圆
年,卷(期) 2007,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 2-3
页数 2页 分类号 TP333.1
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研究主题发展历程
节点文献
内存芯片
堆叠封装
三星电子
内存产品
芯片电路
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研究起点
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期刊影响力
光学精密机械
季刊
长春市卫星路7089号
出版文献量(篇)
3901
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