两步法工艺制备GaN纳米晶

• 作者: 张华 魏芹芹
• 来源期刊: 山东理工大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 纳米晶 两步法工艺 退火氨化 磁控溅射
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 页码范围: 4-6
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.23
• 字数: 1921字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-6197.2007.02.002

摘要

采用先在Si(111)衬底上磁控溅射制备Ga2 O3,然后在氨气气氛中退火氨化的方法制备了一维GaN纳米晶结构.通过对不同温度下氨化生长的GAN纳米晶的扫描电子显微镜(SEM)观察,确定了氨化生长一维GaN纳米晶的最佳制备温度为950℃.用X射线衍射(XRD)分析了硅片上的纳米晶成分,并用高分辨电镜(HRTEM)观察了该实验条件下生长的一维GaN纳米晶的微观结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	魏芹芹	山东理工大学电气与电子工程学院	16	61	5.0	7.0
2	张华	山东理工大学材料科学与工程学院	15	19	3.0	3.0