电化学沉积并氧化法制备CoFe2O4纳米线阵列

• 作者: 姚荣斌 杜辉 莫永新
• 来源期刊: 江苏工业学院学报
• 学科: 化学
• 关键词: AAO模板 CoFe2O4纳米线 矫顽力 方形度
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 页码范围: 4-7
• 页数: 4页
• 分类号: O646|TB383
• 字数: 2104字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.2095-0411.2007.03.002

摘要

用阳极氧化铝(AAO)模板,通过电化学沉积并氧化制备得到纳米线阵列.X射线衍射(XRD)结果显示纳米线由立方尖晶石CoFe2O4相构成,且无明显的择优取向.从透射电子显微镜(TEM)照片可看出,(AAO)模板内刚刚沉积的CoFe2纳米线结构疏松,而通过在空气气氛下的热处理,疏松的CoFe2纳米线转化为致密的CoFe2O4纳米线.当扩孔时间为40 min时,纳米线阵列的矫顽力最大,为1.9 kOe(外磁场平行于纳米线).进一步增加扩孔时间,矫顽力将下降.当外场垂直纳米线时,矫顽力随着扩孔时间的增加而单调减少.外场平行纳米线时,退磁曲线的方形度随着扩孔时间的增加而单调地从0.48减少到0.42;而外场平行纳米线时,方形度却从0.48增加到0.52.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姚荣斌	连云港师范高等专科学校自然科学系	25	48	3.0	5.0
2	莫永新	江苏电大武进学院现代教育中心	8	19	3.0	3.0
3	杜辉	枣庄学院物理与电子工程系	10	62	4.0	7.0