NiFe薄膜AMR元件中非均匀退磁场和宽度的相关性

• 作者: 于广华 吴杏芳 张辉 朱逢吾 滕蛟
• 来源期刊: 金属学报
• 学科: 工学
• 关键词: NiFe膜 各向异性磁电阻(AMR) AMR元件 非均匀退磁场 磁化反转
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 页码范围: 599-602
• 页数: 4页
• 分类号: TP211
• 字数: 2738字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0412-1961.2007.06.009

摘要

采用磁控溅射方法制备了NiFe各向异性磁电阻(AMR)薄膜,经过光学曝光及离子刻蚀将NiFe薄膜制成了厚度t=20 nm、长度l=2.5 mm、宽度w分别为50,20,10,5和3μm的AMR元件.测量了AMR元件的磁电阻效应.考虑沿宽度方向退磁场的非均匀性,计算了磁电阻比率.结果表明,宽度决定了AMR元件中的退磁场分布和边缘退磁场的大小,直接影响着AMR元件的磁化反转过程.宽度越小,元件中的边缘退磁场越大,在外磁场下的磁化反转也越困难.在磁化反转过程中,磁化反转先从中心开始,逐渐扩展到边缘.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于广华	北京科技大学材料物理系	88	372	9.0	14.0
2	朱逢吾	北京科技大学材料物理系	54	229	8.0	12.0
3	吴杏芳	北京科技大学材料物理系	27	280	9.0	16.0
4	张辉	北京科技大学材料物理系	84	366	10.0	14.0
5	滕蛟	北京科技大学材料物理系	37	132	6.0	9.0