高失配半导体薄膜材料的纳米异质外延新技术

• 作者: 余本海 刘江锋 戴启润 陈长春
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米异质外延 应变 晶格失配薄膜材料
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 专家论坛
• 页码范围: 219-224
• 页数: 6页
• 分类号: TN304
• 字数: 4247字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2007.05.001

摘要

纳米异质外延技术是制备高失配半导体薄膜的一种纳米制作技术路线,随着超大规模集成电路纳米图样加工技术的进步,它将在制备无缺陷密度且单晶品质完美的高失配半导体薄膜材料中发挥巨大的作用.详细地综述了纳米异质外延技术的原理,介绍了纳米图样制作技术并展示了运用纳米异质外延技术在Si(111)衬底上实现高失配GaN(失配度为20%)薄膜材料及在Si(100)衬底上实现InP薄膜材料的高品质单晶外延生长.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈长春	河南省信阳师范学院物理与电子工程学院	2	4	1.0	2.0
2	刘江锋	河南省信阳师范学院物理与电子工程学院	2	4	1.0	2.0
3	余本海	河南省信阳师范学院物理与电子工程学院	2	4	1.0	2.0
4	戴启润	河南省信阳师范学院物理与电子工程学院	2	4	1.0	2.0