BaTiO3/CoFe2O4/BaTiO3复合磁电薄膜生长及应力研究

• 作者: 周立勋 张鹰 朱俊 李言荣 罗文博 黄文
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 磁电薄膜 界面应力 RHEED 生长模式
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 386-390
• 页数: 5页
• 分类号: O484.1|O484.2
• 字数: 2336字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2007.05.006

摘要

用激光分子束外延(LMBE)设备,在SrTiO3(001)基片上外延生长BaTiO3/CoFe2O4/BaTiO3多层复合磁电薄膜结构.通过反射式高能电子衍射(RHEED)对薄膜生长过程进行原位监测,结果显示,随着CoFe2O4厚度的增加薄膜内应力逐渐被释放,并且应力释放的过程导致了薄膜生长模式的变化.高分辨X射线衍射(XRD)发现,随着CoFe2O4厚度的增加,CoFe2O4对BaTiO3薄膜的张应力逐渐增大,BaTiO3晶胞的c轴晶格常数逐渐变小.理论计算给出了BaTiO3面外晶格常数c随CoFe2O4沉积时间的变化规律.原子力显微镜(AFM)对表面形貌进行表征,进一步证明了复合薄膜生长模式的变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张鹰	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	47	169	7.0	9.0
2	黄文	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	14	128	6.0	11.0
3	李言荣	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	115	824	15.0	21.0
4	朱俊	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	34	102	5.0	6.0
5	罗文博	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	25	79	5.0	6.0
6	周立勋	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	10	2.0	2.0